XPSによるバンドギャップの簡易測定

半導体や絶縁物の中で、比較的バンドギャップが広い物質や薄膜のバンドギャップを、XPSを使用して簡易的に測定することが可能です。

β-Ga₂O₃のバンドギャップをO1sのピークを使用して測定を行いました。

O1sのピーク位置とバンドギャップによるエネルギー損失の端部との差よりこのβ-Ga₂O₃のバンドギャップは、約4.9eVと測定されます。

バンドギャップの広いSiON等の薄膜の簡易測定も可能です。

SiCのバンドギャップをSi2pのピークを使用して測定を行いました。

Si2pのピーク位置とバンドギャップによるエネルギー損失の端部との差よりこのSiCのバンドギャップは、約3.２eVと測定されます。

酸化物系以外の半導体もお問い合わせください。