パワー半導体の解析サービス

Si半導体だけでなく、話題のワイドバンドギャップ半導体も対応しております。
故障箇所特定から拡散層評価や結晶構造などの物理解析まで対応いたします。

OBIRCH解析では1300nm・532nmレーザーを、発光解析ではInGaAs・SI-CCDの超高感度カメラにより、Siだけでなく、SiCやGaNデバイスにも対応します。　　

表裏どちらからでもFIB加工可能です。

PN接合の内蔵電位に影響を受けた二次電子(SE2)をIn-Lens検出器で検出します。

電子ビーム照射により、空乏層の内部電界で誘起された電流を2次元のマッピングを取得
することで、PN接合部に形成された空乏層を可視化します。

高精度な位置だしと400kVのTEMにより試料厚が厚めでも鮮明な像が得られ、不良を
可視化する確率が上がります。

EDS、EELS分析といった元素分析も対応いたします。　　　　　

故障箇所→拡散層評価を含めた物理解析・化学分析まで一気通貫で対応いたします！