IR-OBIRCH 解析装置

赤外レーザを照射し配線の温度を変化させることにより生じる電流の変化を捉え、ICチップ内部のショート、リークや高抵抗などの不良箇所を特定します。

特徴

  • パワーデバイス、受発光デバイス、ICチップなどのショート、リーク、高抵抗不良箇所特定に有効
  • パワーデバイス、ICチップの裏面からの解析可能
  • IR、可視光コンフォーカル顕微鏡、エミッション顕微鏡観察(発光解析)用InGaAS、CCDカメラを併せて搭載
  • チップ表面をパッケージされたままで解析可能

装置概要

装置仕様 
型式

：PHEMOS-1000(浜松ホトニクス製)
裏面観察対応、IR、可視コンフォーカル顕微鏡搭載、エミッション顕微鏡観察(発光解析)用InGaAS、CCDカメラを併せて搭載

レーザ：波長1300nm、最大出力532mW
OBIRCH標準アンプ：設定電圧10mV～10V、最大許容電流100mA、最小検出電流10nA
OBIRCH微小電流アンプ：設定電圧10mV～25V、最大許容電流100μA、最小検出電流10pA
最大視野：13mm x 13mm
対物レンズ ×１、×２、×５、×20、×50(高NAレンズ)
スキャン倍率 ×１、×２、×４
マニュアルプローバ
型式：PM8-DSP(KARL SUSS製)8インチウエハ表面/裏面プロービング可能
マニピュレータ最大6台
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