オージェ電子分光分析

表面および深さ方向の元素分析を行います。

特徴

微小物およびバルク試料の最表面（数nm程度）の元素分析が可能

指定元素に対しての深さ方向分析が可能

装置概要

最高空間分解能： 1um
最高深さ方向分解能： 5nm
深さ方向分析能： ～1uｍ
スパッタリングイオン： Ar＋

事例

半導体デバイスのボンディング不良の解析

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